Особенности частотной дисперсии диэлектрической проницаемости гетероструктур на основе ZNAS2 / Редько С. В. [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 118–119.

Abstract

Прямозонный полупроводник диарсенид цинка — соединение группы А2В5 с моноклинной кристаллической решеткой. Особенности пространственного расположения межатомных связей в таких кристаллах приводят к сильной анизотропии оптических и электрофизических свойств этого материала.