| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2011 | Влияние условий роста на оптоэлектронные свойства самоорганизованных наносистем нитридов III группы в порах оксида алюминия: отчет о НИР (заключ.) | Лабунов, В. А.; Горох, Г. Г.; Мозалев, А. М.; Сурганов, А. В. |
| 2020 | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Волчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2015 | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников | Волчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2024 | Лавинный пробой транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящим элементом на основе графена | Волчёк, В. С. |
| 2024 | Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN | Ворсин, Н. Н.; Гладыщук, А. А.; Кушнер, Т. Л.; Тарасюк, Н. П.; Чугунов, С. В. |
| 2015 | Нитрид галлия – перспективный материал радиационно-стойких полупроводниковых приборов | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В.Р |
| 2021 | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Волчек, В. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2013 | Разработка научных основ технологии темплетных наноструктур интегральных оптоэлектронных элементов на III-нитридах: отчет о НИР (заключ.) | Лабунов, В. А.; Горох, Г. Г.; Сурганов, А. В.; Соловей, Д. В. |
| 2017 | Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия | Ловшенко, И. Ю.; Волчек, В. С.; Дао Динь Ха; Ханько, В. Т.; Омер, Д. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2019 | Формирование буферных слоев с помощью анодного оксида алюминия на Si для эпитаксиального роста тринитридов | Горох, Г. Г.; Деминский, П. В.; Лозовенко, А. А.; Захлебаева, А. А. |
