Skip navigation

Browsing by Subject GaAs

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 4 of 4
Issue DateTitleAuthor(s)
2021The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAsLovshenko, I. Yu.; Voronov, A. Yu.; Roshchenko, P. S.; Ternov, R. E.; Galkin, Y. D.; Kunts, A. V.; Stempitsky, V. R.; Jinshun Bi
2024Верификация методики определения параметров компактной модели GaAs гетеропереходных биполярных транзисторовНовиков, П. Э.; Кратович, П. С.; Корсак, К. В.; Ловшенко, И. Ю.
2022Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристаллеДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Кунц, А. В.; Павлючик, А. А.
2006Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений : учебно-метод. пособие по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов» для студентов специальностей «Квант. информ. системы» и «Микро- и наноэлектр. технологии и системы» днев. и заоч. форм обученияКолосницын, Б. С.