Skip navigation

Browsing by Author Ловшенко, И. Ю.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 23 to 31 of 31 < previous 
Issue DateTitleAuthor(s)
2015Разработать математические методы и программное обеспечение для проведения статистической обработки результатов экспериментальных измерений : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А.; Костров, А. И.; Ловшенко, И. Ю.; Чан Туан Чунг; Волчек, В. С.
2013Разработать методическое обеспечение для организации проектирования заказных и радиочастотных интегральных микросхем с использованием программного комплекса компании Cadence: отчет о НИР (заключ.)Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.; Бурко, В. А.
2014Разработка компактной модели моп-транзистора с глубоко субмикронными проектными нормами : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А.; Костров, А. И.; Ловшенко, И. Ю.; Чан Туан Чунг; Боровик, А. М.
2012Разработка методик оптимизации SPICE-параметров : отчет о НИР (заключ.)Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Костров, А. И.; Толкун, А. В.; Ловшенко, И. Ю.; Бурко, В. А.
2018Разработка топологических решений аналого-цифровых преобразователей в системе автоматизированного проектирования компании CadenceГалкин, Я. Д.; Демиденко, Е. В.; Кунц, А. В.; Русак, А. Т.; Ловшенко, И. Ю.
2023Расчет оптических параметров тонких пленок конструкционных материалов теплового неохлаждаемого детектора болометрического типаЧан Ван Чиеу; Корсак, К. В.; Новиков, П. Э.; Ловшенко, И. Ю.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Степанов, А. А.; Губаревич, А. А.; Колос, В. В.; Соловьев, Я. А.; Левчук, Д. С.; Стемпицкий, В. Р.
2023Сравнение параметров и возможностей моделей гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAsКратович, П. С.; Ловшенко, И. Ю.
2017Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлияЛовшенко, И. Ю.; Волчек, В. С.; Дао Динь Ха; Ханько, В. Т.; Омер, Д. С.; Стемпицкий, В. Р.
2021Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистораЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Lovshenko, I. Y.; Stempitsky, V. R.