Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45568
Title: Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора
Other Titles: The influence of protons in the electrical characteristics of arsenide-gallium field effect transistor
Authors: Ловшенко, И. Ю.
Стемпицкий, В. Р.
Lovshenko, I. Y.
Stempitsky, V. R.
Keywords: материалы конференций;полевые транзисторы;ионизирующее излучение;электрические характеристики;field-effect transistors;ionizing radiation;electrical characteristics
Issue Date: 2021
Publisher: БГУИР
Citation: Ловшенко, И. Ю. Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора / Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р. // Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС = Instrumentation and control systems for NPP and TPP : материалы II Международной научно-технической конференции, Минск, 27-28 апреля 2021 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2021. – С. 257–262.
Abstract: Представлены результаты моделирования воздействия потока протонов на электрические характеристики приборной структуры полевых транзисторов на основе GaAs. Определены зависимости максимального тока стока IС и напряжения отсечки от величины флюенса и энергии протонов, а также температуры окружающей среды.
Alternative abstract: The results of simulation the influence of the proton flux on the electrical characteristics of the device structure of field-effect transistors based on GaAs are presented. The dependences of the maximum drain current IC and cut-off voltage on the fluence value and proton energy, as well as on the ambient temperature are shown.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45568
Appears in Collections:Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС (2021)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lovshenko_Uchet.pdf486.39 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.