Просмотр собрания по группе - Авторы Kalameitsava, N. V.
Результаты 1 по 2 из 2
| Дата публикации | Название | Автор(ы) |
| 2022 | Quantum drift-diffusion models for dual-gate field-effect transistors based on mono- and bilayer graphene | Abramov, I. I.; Labunov, V. A.; Kalameitsava, N. V.; Romanova, I. A.; Shcherbakova, I. Y. |
| 2022 | Simulation of various nanoelectronic devices based on 2D materials | Abramov, I. I.; Labunov, V. A.; Kalameitsava, N. V.; Romanova, I. A.; Shcherbakova, I. Y. |
