Skip navigation

Browsing by Author Кацуба, П. С.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 14 of 14
Issue DateTitleAuthor(s)
2015Влияние локальной напряженности электрического поля на формирование упорядоченной структуры пористого анодного оксида алюминияЛазарук, С. К.; Кацуба, П. С.; Лешок, А. А.; Высоцкий, В. Б.
2010Волноводы на основе пористого оксида алюминия для оптических межсоединенийЛазарук, С. К.; Лешок, А. А.; Кацуба, П. С.; Сасинович, Д. А.; Высоцкий, В. Б.
2010Закономерности роста плотных анодных оксидов вентильных металлов и сплавов на их основеЛарченко, А. А.; Купреева, О. В.; Сасинович, Д. А.; Кацуба, П. С.
2005Использование нанокристаллического кремния для создания люминесцентных надписейУнучек, Д. Н.; Лазарук, С. К.; Кацуба, П. С.; Румянцев, А. А.; Лешок, А. А.; Лабунов, В. А.
2011Исследование закономерностей протекания процессов горения и взрыва в пленках наноструктурированного пористого кремния и разработка микроактюаторов на основе энергии этих процессов : отчет о НИР (заключ.)Лабунов, В. А.; Лазарук, С. К.; Долбик, А. В.; Кацуба, П. С.
2014Исследование закономерностей проявления электрооптических свойств наноразмерных кремниевых кластеров в матрице пористого оксида алюминия и разработка научных основ создания устройств интегральной оптики и фотоэлектрической энергетики с использованием этих материалов: отчет о НИР (заключ.)Лешок, А. А.; Подрябинкин, Д. А.; Кацуба, П. С.; Ларченко, М. В.
2014Исследовать закономерности электрохимических процессов формирования канавок и отверстий с высоким аспектным числом внутри кремниевых подложек и разработать технологию создания трехмерных элементов интегральных микросхем на основе этих процессов : отчет о НИР (заключ.)Лабунов, В. А.; Лазарук, С. К.; Долбик, А. В.; Кацуба, П. С.; Купреева, О. В.
2008Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремнияЖагиро, П. В.; Высоцкий, А. В.; Кацуба, П. С.; Сербун, П. Ф.; Смирнов, А. Г.
2014Напряженность электрического поля в барьерном слое пористого оксида алюминия при анодированииЛазарук, С. К.; Кацуба, П. С.; Андреенко, А. В.; Лешок, А. А.; Якимчук, А. А.; Высоцкий, В. Б.
2012Расчет джоулева тепла внутри барьерного слоя пористого оксида алюминия при электрохимическом анодированииКацуба, П. С.; Лешок, А. А.; Высоцкий, В. Б.; Лазарук, С. К.
2005Саморазрушающиеся кремниевые чипы при попытке несанкционированного доступа к нимДолбик, А. В.; Лазарук, С. К.; Кацуба, П. С.; Румянцев, А. А.; Лабунов, В. А.
2011Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния для оптических межсоединенийЛазарук, С. К.; Лешок, А. А.; Кацуба, П. С.; Высоцкий, В. Б.; Летохо, А. С.
2008Современные дисплеи: перспективы миниатюризацииЛабунов, В. А.; Жагиро, П. В.; Кацуба, П. С.; Смирнов, А. Г.
2008Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнииЖагиро, П. В.; Губаревич, А. А.; Кацуба, П. С.; Салимьянов, В. М.; Смирнов, А. Г.