Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремния

Жагиро, П. В.; Высоцкий, А. В.; Кацуба, П. С.; Сербун, П. Ф.; Смирнов, А. Г.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32197

Title:	Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремния
Other Titles:	Light emissive microdisplays based on nanostructured silicon
Authors:	Жагиро, П. В. Высоцкий, А. В. Кацуба, П. С. Сербун, П. Ф. Смирнов, А. Г.
Keywords:	доклады БГУИР;электролюминесценция;диод Шоттки;наноструктурированный кремний;микродисплей;пассивная матрица
Issue Date:	2008
Publisher:	БГУИР
Citation:	Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремния = Light emissive microdisplays based on nanostructured silicon / П. В. Жагиро [и др.] // Доклады БГУИР. – 2008. – № 5 (35). – С. 50–56.
Abstract:	Рассмотрены основные проблемы и перспективы создания светоизлучающих пассивно матричных микродисплеев на основе наноструктурированного кремния. В настоящее время наиболее перспективными представляются лавинные светоизлучающие структуры на основе пористого кремния. Они характеризуются большим сроком службы (>10000 часов), непрерывным спектром, позволяющим выделить цвета RGB, невысоким рабочим напряжением (менее 12 В) с крутой вольт-амперной характеристикой (ВАХ), малым временем отклика (единицы не), высокой плотностью рабочего тока. В статье рассматриваются базовые принципы, технология и достижения в исследовании и разработке кремниевых светоизлучающих диодов и микродисплеев с матрицей высокого разрешения.
Alternative abstract:	Standard silicon microelectronics technology is very attractive for use in microdisplays, because it is the shortest way to highest pixel densities and integration of matrix with column and row drivers into a common chip. Use of nanostructured silicon light emitting diodes (SiLEDs) may completely solve the problem of low compatibility of display elements and silicon chip. At present time the most suitable kinds of Si-LEDs are porous silicon avalanche LEDs. They have such advantages as long operation lifetime (> 10000 hours), continuous spectrum, which allows to filter RGB colors, operation voltages less than 12 volts and extremely sharp VA-curve, fast response time (~ 1 ns), high operation current densities. Rather low energy efficiency (<1%) is not so significant for NTE microdisplays. This paper considers the background, approaches and achievements in investigation of the light emission mechanism, design of the silicon based LEDs and high resolution matrix displays.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32197
Appears in Collections:	№5 (35)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Zhagiro_Mikrodispley.PDF		316.42 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar