https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32196| Title: | Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии |
| Other Titles: | Physical properties in light emitting diodes on nanostructured silicon |
| Authors: | Жагиро, П. В. Губаревич, А. А. Кацуба, П. С. Салимьянов, В. М. Смирнов, А. Г. |
| Keywords: | доклады БГУИР;кремниевые светоизлучающие диоды;электролюминесценция;диод Шоттки;наноструктурированный кремний |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии = Physical properties in light emitting diodes on nanostructured silicon / П. В. Жагиро [и др.] // Доклады БГУИР. – 2008. – № 5 (35). – С. 35–41. |
| Abstract: | Рассмотрены основные проблемы экспериментального исследования физических процессов в светоизлучающих диодах на пористом кремнии. Проведен краткий анализ соответствующих физических процессов и методов их исследования. Предлагаемые экспериментальные и технологические решения направлены на улучшение воспроизводимости экспериментальных результатов, создание основы для построения адекватных теоретических моделей, а также на практическую реализацию кремниевых светодиодов с улучшенной эффективностью. |
| Alternative abstract: | Here we address the basic problems of the experimental investigation o f porous silicon light emitting diodes (LEDs). Short analysis o f appropriate physical processes and methods o f investigation was carried out. The introduced experimental and technological solutions pointed to enhancement of experimental results reproducibility, creation of basis for adequate theoretical models and design of silicon LED with improved efficiency. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32196 |
| Appears in Collections: | №5 (35) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Zhagiro_Fizicheskiye.PDF | 261.82 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.