Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32196
Title: Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии
Other Titles: Physical properties in light emitting diodes on nanostructured silicon
Authors: Жагиро, П. В.
Губаревич, А. А.
Кацуба, П. С.
Салимьянов, В. М.
Смирнов, А. Г.
Keywords: доклады БГУИР;кремниевые светоизлучающие диоды;электролюминесценция;диод Шоттки;наноструктурированный кремний
Issue Date: 2008
Publisher: БГУИР
Citation: Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии / П. В. Жагиро и другие // Доклады БГУИР. - 2008. - № 5 (35). - С. 35 - 41.
Abstract: Рассмотрены основные проблемы экспериментального исследования физических процессов в светоизлучающих диодах на пористом кремнии. Проведен краткий анализ соответствую­ щих физических процессов и методов их исследования. Предлагаемые экспериментальные и технологические решения направлены на улучшение воспроизводимости эксперимен­тальных результатов, создание основы для построения адекватных теоретических моделей, а также на практическую реализацию кремниевых светодиодов с улучшенной эффектив­ностью.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32196
Appears in Collections:№5 (35)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Zhagiro_Fizicheskiye.PDF261.82 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.