Skip navigation

Browsing by Author Lazzari, J. L.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 6 of 6
Issue DateTitleAuthor(s)
2015Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Skorodumova, N. V.; Tay, B. K.; Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Скородумова, Н. В.
2014Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2019Electronic properties of WS2/WSe2 heterostructure containing Te impurity: the role of substituting positionKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2019Impact of Defects on Electronic Properties of Heterostructures Constructed From Monolayers of Transition Metal DichalcogenidesShaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.
2014Magnetic properties of AII BIV CV2 chalcopyrite semiconductors doped with 3d-elementsBorisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2015Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Waileong, C.; Gusakova, J.; Tay, B. K.; Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.