Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10138
Title: Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов
Authors: Ловшенко, И. Ю.
Дворников, О. В.
Keywords: материалы конференции
Issue Date: 2016
Publisher: БГУИР
Citation: Ловшенко И. Ю. Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов / И. Ю. Ловшенко, О. В. Дворников // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов ХIV Белорусско-российской научно-технической конференции. ( Минск 25-26 мая 2016 г.). - Минск: БГУИР, 2016. – С. 60.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10138
Appears in Collections:ТСЗИ 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lovshenko_Optimizatsiya.PDF553.72 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.