Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10168
Title: Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвора
Authors: Мищенко, В. Н.
Keywords: материалы конференции;GaAs транзистор
Issue Date: 2016
Publisher: БГУИР
Citation: Мищенко. В. Н. Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвора / В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХIV Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск 25–26 мая 2016 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2016. – С. 62–63.
Abstract: Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазонов СВЧ и КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, радиометров и ряда других приборов.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10168
Appears in Collections:ТСЗИ 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Mishchenko_Trekhmernoye.PDF682.54 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.