Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate
Authors: Golosov, D. A.
Zavadski, S. M.
Kolos, V. V.
Turtsevich, A. S.
Голосов, Д. А.
Keywords: публикации ученых
танталат стронций-висмут (SBT)
ВЧ магнетронное распыление
сегнетоэлектрические тонкие пленки
ferroelectric thin films
strontium bismuth tantalate (SBT)
Issue Date: 2016
Publisher: Springer
Citation: Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate / D. A. Golosov and other// Physics of the Solid State. - 2016. - Vol. 58, № 1. - p. 50-54.
Abstract: Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT) и легированного ниобием танталата стронция-висмута (SBTN), нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления на подложки Pt/TiO2/SiO2/Si. Для формирования структуры сегнетоэлектрика нанесенные пленки подвергались последующему отжигу при температуре 970−1070K в атмосфере O2. The characteristics of ferroelectric thin films of strontium bismuth tantalate (SBT) and niobium-doped strontium bismuth tantalate (SBTN) deposited by radio-frequency (RF) magnetron sputtering on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates were investigated. For the formation of the structure of the ferroelectric material, the deposited films were subjected to a subsequent annealing at temperatures of 970–1070 K in an O2 atmo-sphere.
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ferroelectric.docx16.07 kBMicrosoft Word XMLView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.