Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11058
Title: Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов
Other Titles: The influence of defects on the electronic properties of structures of layered dichalcogenides of refractory metals
Authors: Кривошеева, А. В.
Шапошников, В. Л.
Алексеев, А. Ю.
Krivosheeva, A. V.
Shaposhnikov, V. L.
Alexeev, A. Yu.
Keywords: доклады БГУИР
двумерные кристаллы
дихалькогениды тугоплавких металлов
электронная структура
примесь замещения
вакансия
two-dimensional crystals
dichalcogenides of refractory metals
electronic structure
substitutional impurity
vacancy
Issue Date: 2016
Publisher: БГУИР
Citation: Кривошеева, А. В. Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, А. Ю. Алексеев // Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – С. 82 – 88.
Abstract: Методами из первых принципов проведено компьютерное моделирование электронных спектров гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два варианта взаимного расположения слоев. Исследована модификация свойств таких гетероструктур в зависимости от наличия в них примесей и дефектов.Computer modeling of the electronic structure of heterostructures made of individual layers of two- dimensional crystals of MoS2, WS2, WSe2 and MoSe2 is performed by means of first-principles methods. Two variants of the mutual arrangement of the layers of two-dimensional crystals are suggested. Properties of such heterostructures in the presence of impurities and defects are investigated.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11058
Appears in Collections:№8 (102)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shaposhnikov_Vliyaniye.PDF879,8 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.