Структура переходного слоя, формирующегося в системе  Mo–Si при имплантации ионов Р+ через пленку молибдена

Снитовский, Ю. П.; Ходарина, Л. П.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12098

Title:	Структура переходного слоя, формирующегося в системе Mo–Si при имплантации ионов Р+ через пленку молибдена
Other Titles:	Structure of transitional layer forming in Mo–Si system by P+ ion implantation over molybdenum film
Authors:	Снитовский, Ю. П. Ходарина, Л. П.
Keywords:	доклады БГУИР;структура переходного слоя;система Mo–Si;ионная имплантация;кремниевые эпитаксиальные структуры;structure of the transition layer;Mo–Si system;ion implantation;epitaxial silicon structures
Issue Date:	2017
Publisher:	БГУИР
Citation:	Снитовский, Ю. П. Структура переходного слоя, формирующегося в системе Mo–Si при имплантации ионов Р+ через пленку молибдена / Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина // Доклады БГУИР. – 2017. – № 1 (103). – С. 5-12.
Abstract:	Рассмотрены вопросы влияния дозы легирования Si(111) ионами фосфора, влияния постимплантационного отжига легированного Si и отжига системы Mo–Si, а также облучения ионами фосфора сформированных омических контактов системы Mo–Si и низкотемпературной термообработки на структуру и фазовый состав переходного слоя.
Alternative abstract:	Questions of the implantation fluency of Si(111) by phosphorus ions influence, the effect of post-implant annealing of Si implantation and an annealing of Mo–Si system and of irradiation by phosphorus ions of generated ohmic contact of system Mo–Si and an annealing at low temperatures on the structure and phase composition of transitional layer have been considered.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12098
Appears in Collections:	№1 (103)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Snitovskiy_Struktura.PDF		959.69 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar