https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12600| Title: | Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках |
| Other Titles: | Switching and memory effects in thin film disoder chalcoginide semiconductors |
| Authors: | Колосницын, Б. С. Троян, Е. Ф. |
| Keywords: | доклады БГУИР;тонкие пленки;халькогенидные соединения;thin films;chalcogenide alloys |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Колосницын, Б. С. Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках / Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян // Доклады БГУИР. - 2017. - № 2 (104). - С. 25 - 30. |
| Abstract: | В предлагаемой статье анализируется возможность создания тонкопленочных элементов памяти и порогового переключения на основе одного халькогена-теллура. |
| Alternative abstract: | The possibility of creation of thin film memory elements and threshold switching elements on the base of one chalcogenide – tellurium is analyzed in the proposed article. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12600 |
| Appears in Collections: | №2 (104) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Kolosnitsyn_Effekty.PDF | 610.74 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.