Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12600
Title: Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках
Other Titles: Switching and memory effects in thin film disoder chalcoginide semiconductors
Authors: Колосницын, Б. С.
Троян, Е. Ф.
Keywords: доклады БГУИР;тонкие пленки;халькогенидные соединения;thin films;chalcogenide alloys
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Колосницын, Б. С. Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках / Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян // Доклады БГУИР. - 2017. - № 2 (104). - С. 25 - 30.
Abstract: В предлагаемой статье анализируется возможность создания тонкопленочных элементов памяти и порогового переключения на основе одного халькогена-теллура.
Alternative abstract: The possibility of creation of thin film memory elements and threshold switching elements on the base of one chalcogenide – tellurium is analyzed in the proposed article.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12600
Appears in Collections:№2 (104)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kolosnitsyn_Effekty.PDF610.74 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.