Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора
Other Titles: Electrical model of the 90 nm MOSFET
Authors: Боровик, А. М.
Ханько, В. Т.
Стемпицкий, В. Р.
Keywords: доклады БГУИР;электрическая модель;экстракция параметров;оптимизация;наноразмерный МОП-транзистор;electrical model;parameters extraction;optimization;nanoscale MOSFET
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Боровик, А. М. Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора / А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. - 2017. - № 3 (105). - С. 65 - 69.
Abstract: Разработана методика экстракции и идентификации параметров электрических моделей наноразмерных полупроводниковых приборов, основанная на применении методов оптимизации. Эффективность предлагаемого подхода к идентификации, экстракции и оптимизации параметров электрических моделей полупроводниковых приборов продемонстрирована на примерах экстракции SPICE-параметров моделей BSIM4 и HiSIM2 для МОП-транзисторов стандартной конструкции, изготовленных по технологии, обеспечивающей минимальную длину канала 90 нм.
Alternative abstract: The technique of extraction and identification of electrical models parameters for nanoscale semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach efficiency to identification, extraction and optimization of parameters of semiconductor devices electrical models is demonstrated by examples of BSIM4 and HiSIM2 models SPICE parameters extraction for standard design MOS transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm.
Appears in Collections:№3 (105)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borovik_Elektricheskaya.PDF595.45 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.