Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1420
Название: Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2
Авторы: Krivosheeva, A. V.
Shaposhnikov, V. L.
Borisenko, V. E.
Lazzari, J. L.
Ключевые слова: доклады БГУИР;molybdenum disulfide;nanostructure;electronic properties;phonons
Дата публикации: 2014
Издательство: БГУИР
Описание: Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2 / A. V. Krivosheeva [ and others] // Доклады БГУИР. - 2014. - № 5 (83). - С. 34 - 37.
Аннотация: Electronic and dynamical properties of MoS2 are determined by means of theoretical calculations. Various numbers of layers with different thickness of the vacuum layer were considered. We have found that the band gap of bulk MoS2 is increasing upon decreasing of the number of layers from 0.76 eV up to 1.85 eV, and transforms from indirect to direct one in one-monolayer structure. The influence of vacancies on the electronic properties of MoS2 is analyzed and its dynamical properties are presented.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1420
Располагается в коллекциях:№5 (83)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Krivosheeva_Electronic.PDF831.39 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.