Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1435
Title: Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме
Other Titles: Radiation resistance of silicon nanostructured photovoltaic elements formed in com- pression plasma
Authors: Углов, В. В.
Квасов, Н. Т.
Асташинский, В. М.
Петухов, Ю. А.
Кузьмицкий, А. М.
Дорошевич, И. Л.
Ластовский, С. В.
Keywords: доклады БГУИР
фотовольтаический эффект
кремний
радиационные дефекты
компрессионная плазма
Issue Date: 2013
Publisher: БГУИР
Citation: Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме / В. В. Углов [и др.] // Доклады БГУИР. - 2013. - № 2 (72). - С. 21 - 25.
Abstract: Приводятся результаты исследований фотовольтаического эффекта, впервые обнаруженного авторами в легированном кремнии после облучения импульсами компрессионной плазмы. Определены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальное значение фотоЭДС. Установлены зависимости фотоЭДС от дозы облучения высокоэнергетическими электронами.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1435
Appears in Collections:№2 (72)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Uglov_Radiatsionnaya.PDF611,07 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.