Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1569
Title: Моделирование радиационной стойкости элементов логических КМОП интегральных микросхем
Other Titles: Radiation resistance simulation of logical CMOS integrated circuits elements
Authors: Лазарь, А. П.
Коршунов, Ф. П.
Keywords: доклады БГУИР;n- и p-канальные МОП транзисторы;элементы КМОП интегральных микросхем;SPICE-параметры;гамма излучение;вольтамперные характеристики
Issue Date: 2013
Publisher: БГУИР
Citation: Лазарь, А. П. Моделирование радиационной стойкости элементов логических КМОП интегральных микросхем / А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов // Доклады БГУИР. - 2013. - № 5 (75). - С. 17 - 23.
Abstract: Приведено описание программного комплекса для моделирования радиационной стойкости n- и p-канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов – элементов комплементарных МОП интегральных микросхем. Программное обеспечение предназначено для визуализации и анализа результатов измерений вольтамперных характеристик транзисторов, экстракции SPICE-параметров и последующего моделирования их эволюции в зависимости от дозы ионизирующего излучения. Исследовано радиационное поведение МОП транзисторов – элементов микросхем 1554ЛН1 – в поле ионизирующего излучения Со60.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1569
Appears in Collections:№5 (75)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lazar_Modelirovaniye.PDF816.01 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.