https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1749| Title: | Фундаментальные электронные свойства кремниевых наношнуров |
| Other Titles: | Fundamental electronic properties of silicon nanowires |
| Authors: | Гусакова, Ю. В. Мигас, Д. Б. |
| Keywords: | доклады БГУИР;кремниевые наношнуры;ширина запрещенной зоны;полуэмпирический метод Хартри-Фока |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Гусакова, Ю. В. Фундаментальные электронные свойства кремниевых наношнуров / Ю. В. Гусакова, Д. Б. Мигас // Доклады БГУИР. - 2011. - № 1 (55). - С. 19 - 22. |
| Abstract: | Проведено моделирование стабильности кремниевых шнуров с ориентацией <001> диаметром 0,82–1,818 нм. Установлено, что с увеличением диаметра шнура в этих пределах ширина запрещенной зоны уменьшается с 3,42 эВ до 2,27 эВ. Реконструкция поверхности наношнура (формирование димеров на поверхности) влияет на его электронные свойства – приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1749 |
| Appears in Collections: | №1 (55) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Gusakova_Fundamentalnyye.PDF | 472.37 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.