Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2063
Title: Формирование наноразмерных медных межсоединений элементов интегральных микросхем
Other Titles: Fabrication of nanodimensional coper interconnects in integrated circuits
Authors: Дубин, В. М.
Борисенко, В. Е.
Keywords: доклады БГУИР
микроэлектроника
нанотехнология
медные межсоединения
СБИС
Issue Date: 2011
Publisher: БГУИР
Citation: Дубин, В. М. Формирование наноразмерных медных межсоединений элементов интегральных микросхем / В. М. Дубин, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. - 2011. - № 8 (62). - С. 34 - 38.
Abstract: Электроосажденная медь заменила вакумно-осажденный алюминий для межсоединений элементов интегральных микросхем, изготавливаемых с пректными нормами 130 нм и менее. Это позволило уменьшить электрическое сопротивление и повысить токонесущую способность металлизации. Установлено, что заполнение канавок и отверстий в межслойном диэлектрике при создании медной металлизации с помощью электроосаждения меди лимитируется скоростью супер-заполнения наноструктур. Описаны закономерности процесса формирования и свойства электроосажденных медных межсоединений.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2063
Appears in Collections:№8 (62)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Dubin_Formirovaniye.PDF582,96 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.