Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27042

Title:	Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов
Authors:	Яцевич, Н. А. Стемпицкий, В. Р. Ловшенко, И. Ю.
Keywords:	материалы конференций;интегральные микросхемы;температура;субмикронные МОП-транзисторы
Issue Date:	2017
Publisher:	БГУИР
Citation:	Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХV Белорусско-российской науч.-техн. конф. (Минск, 6 июня 2017 г.). – Минск : БГУИР, 2017. – С. 107 - 108.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27042
Appears in Collections:	ТСЗИ 2017

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Yatsevich_Mod.PDF		410.01 kB	Adobe PDF	View/Open