Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27042
Title: Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов
Authors: Яцевич, Н. А.
Стемпицкий, В. Р.
Ловшенко, И. Ю.
Keywords: материалы конференций;интегральные микросхемы;температура;субмикронные МОП-транзисторы
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХV Белорусско-российской науч.-техн. конф. (Минск, 6 июня 2017 г.). – Минск : БГУИР, 2017. – С. 107 - 108.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27042
Appears in Collections:ТСЗИ 2017

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Yatsevich_Mod.PDF410.01 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.