| Abstract: | Систематизированы опубликованные результаты исследований автора в области материа-
лов пленочных элементов твердотельных приборов и интегральных микросхем и техноло-
гии их формирования с использованием принципа самосовмещения топологического ри-
сунка. Рассмотрены физические основы создания самосовмещенных твердотельных струк-
тур с заданными свойствами на основе силицидов и оксидов переходных металлов, таких,
как Ta, Nb, Mo, Al, Ni, Co, Pt, Pd, сплавы W–Ti, Mo–Re и другие на пластинах монокристал-
лического кремния в инертных и химически активных средах. Кратко описаны использо-
ванные методики контроля основных свойств твердотельных структур и важнейшие зако-
номерности их формирования, в том числе, установленные эффекты изменения основного
диффундирующего компонента при высокотемпературном синтезе силицидов кобальта,
восходящей диффузии при обработке структур ионными пучками высоких энергий, образо-
вания "релаксационного слоя" вблизи границы раздела фаз. Приведены сведения об исполь-
зовании предложенных материалов и разработанных процессов в изделиях твердотельной
электроники и микроэлектроники. |
