| Title: | Материалы и процессы формирования самосовмещённых плёночных структур изделий твёрдотельной электроники и микроэлектроники |
| Other Titles: | Materials and technologies of self-aligned thin film structures formation for solid-state devices and VLSI applications |
| Authors: | Баранов, В. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;переходные металлы;кремний;твердофазные реакции |
| Issue Date: | 2004 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Баранов, В. В. Материалы и процессы формирования самосовмещённых плёночных структур изделий твёрдотельной электроники и микроэлектроники = Materials and technologies of self-aligned thin film structures formation for solid-state devices and VLSI applications / В. В. Баранов // Доклады БГУИР. – 2004. – № 3 (7). – С. 103–117. |
| Abstract: | Систематизированы опубликованные результаты исследований автора в области материалов пленочных элементов твердотельных приборов и интегральных микросхем и технологии их формирования с использованием принципа самосовмещения топологического рисунка. Рассмотрены физические основы создания самосовмещенных твердотельных структур с заданными свойствами на основе силицидов и оксидов переходных металлов, таких, как Ta, Nb, Mo, Al, Ni, Co, Pt, Pd, сплавы W–Ti, Mo–Re и другие на пластинах монокристаллического кремния в инертных и химически активных средах. Кратко описаны использованные методики контроля основных свойств твердотельных структур и важнейшие закономерности их формирования, в том числе, установленные эффекты изменения основного
диффундирующего компонента при высокотемпературном синтезе силицидов кобальта,
восходящей диффузии при обработке структур ионными пучками высоких энергий, образования "релаксационного слоя" вблизи границы раздела фаз. Приведены сведения об использовании предложенных материалов и разработанных процессов в изделиях твердотельной электроники и микроэлектроники. |
| Alternative abstract: | The published author’s results in the field of materials of thin film elements of solid-state devices and integrated circuits and their technology with a principal of layout self-alignment are systematized. The basic physical principals of self-aligned solid-state structures with the demanded properties on the basis of silicides and oxides of such metals as Ta, Nb, Mo, Al, Ni, Co, Pt, Pd, alloys WTi, Mo-Re and others on the wafers of crystal silicon in the noble and chemical active media are described. The used controlling methods of the main properties of solid-state structures and the significant their formation regularities are briefly described. Among them are: the discovered effects of alternating the main diffusing component under a high-temperature synthesis of cobalt silicides, rising diffusion under the structures treatment with the high energy ion beams, forming "the relaxing layer"
nearby phases interface. Some data about practical using the proposed materials and the developed
processes in certain solid-state and microelectronic devices are given. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30711 |
| Appears in Collections: | №3 (7)
|
