https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713| Title: | Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью |
| Other Titles: | Investigation and optimization of the deposition process of polycrystalline silicon films doped by germanium as an isovalent impurity |
| Authors: | Борисевич, В. М. Ковалевский, А. А. Нелаев, В. В. Малышев, В. С. Стемпицкий, В. Р. |
| Keywords: | доклады БГУИР;кинетика;изовалентная примесь;скорость осаждения;удельное электрическое сопротивление;аппроксимация;оптимизация |
| Issue Date: | 2004 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью = Investigation and optimization of the deposition process of polycrystalline silicon films doped by germanium as an isovalent impurity / В. М. Борисевич [и др.] // Доклады БГУИР. – 2004. – № 3 (7). – С. 139–151. |
| Abstract: | Проведено экспериментальное исследование кинетики роста пленок поликристаллического кремния, легированных изовалентной примесью – германием. Установлены закономерности влияния основных технологических параметров процесса на скорость роста и удельное электрическое сопротивление пленок. Тонкие пленки поликристаллического кремния, легированные германием и выращенные при температуре 6200 С, при пониженном давлении обладают лучшими структурно-орфологическими свойствами по сравнению с нелегированными пленками. На основании экспериментальных результатов получена аппроксимационная зависимость скорости осаждения, удельного электрического сопротивления от условий разложения моногидридов и состава газовой смеси. Приведены результаты решения задачи оптимизации значимых параметров исследованного процесса. |
| Alternative abstract: | Experimental study of the growth kinetics of polycrystalline silicon films doped by germanium as an isovalent impurity is performed. The regularities of the influence of main technological parameters of process on the growth rate and resistivity of films are stated. Thin films of polycrystalline silicon films doped by germanium and grew at the temperature 6200 С under low pressure process are characterized by flying structural and morphological properties in comparison with undoped films. Approximation dependency of deposition rate and resistivity on conditions of the monohydrids decomposition and composition gas mixture is obtained on the base of experimental results. Results of the problem solution of the significant parameters optimization of investigated process are presented. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713 |
| Appears in Collections: | №3 (7) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Borisevich_Investigation.pdf | 781.61 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.