Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713
Title: Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью
Other Titles: Investigation and optimization of the deposition process of polycrystalline silicon films doped by germanium as an isovalent impurity
Authors: Борисевич, В. М.
Ковалевский, А. А.
Нелаев, В. В.
Малышев, В. С.
Стемпицкий, В. Р.
Keywords: доклады БГУИР;кинетика;изовалентная примесь;скорость осаждения;удельное электрическое сопротивление;аппроксимация;оптимизация
Issue Date: 2004
Publisher: БГУИР
Citation: Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью / В. М. Борисевич и другие // Доклады БГУИР. - 2004. - № 3 (7). - С. 139 - 151.
Abstract: Проведено экспериментальное исследование кинетики роста пленок поликристаллического кремния, легированных изовалентной примесью — германием. Установлены закономерности влияния основных технологических параметров процесса на скорость роста и удельное электрическое сопротивление пленок. Тонкие пленки поликристаллического кремния, легированные германием и выращенные при температуре 6200 С, при пониженном давлении обладают лучшими структурно-морфологическими свойствами по сравнению с нелегированными пленками. На основании экспериментальных результатов получена аппроксимационная зависимость скорости осаждения, удельного электрического сопротивления от условий разложения моногидридов и состава газовой смеси. Приведены результаты решения задачи оптимизации значимых параметров исследованного процесса.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713
Appears in Collections:№3 (7)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borisevich_Investigation.pdf781.61 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.