https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748| Title: | Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода |
| Other Titles: | The influence of interface charge and scattering parameters on I-V characteristics of rеsonant tunneling diode |
| Authors: | Абрамов, И. И. Гончаренко, И. А. |
| Keywords: | доклады БГУИР;РТД;ВАХ;рассеяние на оптических фононах;поверхностный заряд |
| Issue Date: | 2004 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Абрамов, И. И. Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 37 - 41. |
| Abstract: | Описана модифицированная численная комбинированная модель резонансно-туннельного диода (РТД), основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассо- на. Кроме эффектов самосогласованного поля, взаимодействия классических и квантовоме- ханических областей РТД, она позволяет учитывать рассеяние на оптических фононах в квантовой яме, а также наличие поверхностного заряда на границе раздела двух сред. С использованием предложенной комбинированной модели проведено исследование влия- ния параметров рассеяния и поверхностного заряда на вольт-амперные характеристики (ВАХ) РТД. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748 |
| Appears in Collections: | №4 (8) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_The.pdf | 611.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.