https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748| Title: | Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода |
| Other Titles: | The influence of interface charge and scattering parameters on I-V characteristics of rеsonant tunneling diode |
| Authors: | Абрамов, И. И. Гончаренко, И. А. |
| Keywords: | доклады БГУИР;РТД;ВАХ;рассеяние на оптических фононах;поверхностный заряд |
| Issue Date: | 2004 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Абрамов, И. И. Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода = The influence of interface charge and scattering parameters on I-V characteristics of rеsonant tunneling diode / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Доклады БГУИР. – 2004. – № 4 (8). – С. 37–41. |
| Abstract: | Описана модифицированная численная комбинированная модель резонансно-туннельного диода (РТД), основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона. Кроме эффектов самосогласованного поля, взаимодействия классических и квантово-механических областей РТД, на позволяет учитывать рассеяние на оптических фононах в квантовой яме, а также наличие поверхностного заряда на границе раздела двух сред. С использованием предложенной комбинированной модели проведено исследование влияния параметров рассеяния и поверхностного заряда на вольт-амперные характеристики (ВАХ) РТД. |
| Alternative abstract: | The modified combined numerical model of a resonant-tunneling diode (RTD), based on selfconsistent solution of the Schrödinger and Poisson equations is presented. The influence of interface charge and scattering parameters on RTD’s I-V characteristics with the use of the model was investigated. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748 |
| Appears in Collections: | №4 (8) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_The.pdf | 611.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.