Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30834
Title: Моделирование формирования высоколегированных элементов микросенсора
Other Titles: Simulation of the microsensor element technology with high concentrations of impurities
Authors: Колешко, В. М.
Сергейченко, А. В.
Нелаев, В. В.
Красиков, М. Г.
Keywords: доклады БГУИР;технология;диффузия;легирование;мебранный сенсор;теплораспределяющая область
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Моделирование формирования высоколегированных элементов микросенсора = Simulation of the microsensor element technology with high concentrations of impurities / В. М. Колешко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2005. – № 1 (9). – С. 59–63.
Abstract: Рассмотрена конструкция термически изолированного мембранного микросенсора с теплораспределяющей областью. Проведено моделирование процесса диффузии из окисной пленки, полученной по золь-гель технологии, и получена зависимость распределения примеси в кремниевой подложке от концентрации бора в окисле и времени процесса диффузии. Выбраны оптимальные режимы создания теплораспределяющей области мембранного микросенсора с точки зрения минимизации градиента температуры.
Alternative abstract: Construction of the thermal insulated membrane microsensor with heat-distributed area was investigated. Simulation of the diffusion process from sol-gel oxide film was performed. Dependency of the impurity distribution in the silicon wafer from boron concentration in oxide and diffusion duration was obtained. Optimal conditions for the heat-distributed area formation of the membrane microsensor were selected from the point of view of the temperature gradient minimization.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30834
Appears in Collections:№1 (9)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Koleshko_Simulation.pdf743.93 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.