https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30834
Title: | Моделирование формирования высоколегированных элементов микросенсора |
Other Titles: | Simulation of the microsensor element technology with high concentrations of impurities |
Authors: | Колешко, В. М. Сергейченко, А. В. Нелаев, В. В. Красиков, М. Г. |
Keywords: | доклады БГУИР;технология;диффузия;легирование;мебранный сенсор;теплораспределяющая область |
Issue Date: | 2005 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Моделирование формирования высоколегированных элементов микросенсора = Simulation of the microsensor element technology with high concentrations of impurities / В. М. Колешко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2005. – № 1 (9). – С. 59–63. |
Abstract: | Рассмотрена конструкция термически изолированного мембранного микросенсора с теплораспределяющей областью. Проведено моделирование процесса диффузии из окисной пленки, полученной по золь-гель технологии, и получена зависимость распределения примеси в кремниевой подложке от концентрации бора в окисле и времени процесса диффузии. Выбраны оптимальные режимы создания теплораспределяющей области мембранного микросенсора с точки зрения минимизации градиента температуры. |
Alternative abstract: | Construction of the thermal insulated membrane microsensor with heat-distributed area was investigated. Simulation of the diffusion process from sol-gel oxide film was performed. Dependency of the impurity distribution in the silicon wafer from boron concentration in oxide and diffusion duration was obtained. Optimal conditions for the heat-distributed area formation of the membrane microsensor were selected from the point of view of the temperature gradient minimization. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30834 |
Appears in Collections: | №1 (9) |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Koleshko_Simulation.pdf | 743.93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.