Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30919
Title: Разработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоев
Other Titles: Development of MCM onelevel copper interconnections system on tantalum underlayer with electrolessly deposited copper seed layers
Authors: Сокол, В. А.
Гомолко, П. В.
Keywords: доклады БГУИР;медные межсоединения;химическое осаждение;затравочный слой
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Сокол, В. А. Разработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоев = Development of MCM onelevel copper interconnections system on tantalum underlayer with electrolessly deposited copper seed layers / В. А. Сокол, П. В. Гомолко // Доклады БГУИР. – 2005. – № 2 (10). – С. 73–78.
Abstract: Предложен метод создания медных затравочных слоев на подслое тантала химическим осаждением. Разработан технологический процесс создания медных межсоединений для многокристальных модулей.
Alternative abstract: A method of electrolessly deposited copper seed layers on tantalum development is proposed. An original MCM copper interconnections development technological process was investigated.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30919
Appears in Collections:№2 (10)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Sokol_Development.pdf521.13 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.