https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30922| Title: | Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов |
| Other Titles: | Using temperature as imitation factor in forecasting gradual failures of semiconductor devices |
| Authors: | Боровиков, С. М. Бересневич, А. И. |
| Keywords: | доклады БГУИР;полупроводниковые приборы;постепенные отказы;имитационный фактор;статистическая аналогия;прогнозирование |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Боровиков, С. М. Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов = Using temperature as imitation factor in forecasting gradual failures of semiconductor devices / С. М. Боровиков, А. И. Бересневич // Доклады БГУИР. – 2005. – № 3 (11). – С. 78–82. |
| Abstract: | В данной работе с помощью экспериментальных исследований биполярных транзисторов для функционального параметра (коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмиттером) установлено наличие линейной корреляции между изменениями, вызываемыми действием температуры как имитационного фактора, и изменениями, обусловленными длительной наработкой транзисторов. Наличие тесной корреляции (модуль коэффициента корреляции более 0,8) является доказательством возможности использования температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий. |
| Alternative abstract: | Forecasting gradual failures of semiconductor devices by means of imitation effect method is based on the presence of similarity between the changes of functional parameter occurring within the long operating age of the device on one hand, and the changes caused by the imitation factor action at the initial moment of time, on the other. And the changes caused by the imitation factor, must be reversible, must not damage the device and not cause exhausting its working resource. The basis for using some effect as the imitation factor is the presence of statistic analogy between the changes mentioned, and the criterium for analogy is the close correlation between the changes being considered. By experimental research of bipolar transistors for functional parameter (gain factor of base current in the circuit with common emitter) the paper establishes the presence of linear correlation between the changes caused by the temperature action as the imitation factor and changes attributed to long operating age of transistors. The presence of close correlation (correlation factor module more than 0,8) is the proof of the possibility to use temperature as the imitation factor in forecasting gradual failures of semiconductor devices by imitation effect method. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30922 |
| Appears in Collections: | №3 (11) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Baravikou_Using.pdf | 325.57 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.