Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30939
Title: Формирование острия кремниевых зондов для сканирующих зондовых микроскопов
Other Titles: Formation of silicon tips for scanning probe microscopes
Authors: Циркунова, Н. Г.
Соловьев, Я. А.
Сергеев, О. В.
Борисенко, В. Е.
Keywords: доклады БГУИР;зондовые датчики;технология изготовления зондов;СЗМ
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Формирование острия кремниевых зондов для сканирующих зондовых микроскопов = Formation of silicon tips for scanning probe microscopes / Н. Г. Циркунова [и др.] // Доклады БГУИР. – 2005. – № 3 (11). – С. 59–64.
Abstract: Проведены исследования и разработана методика формирования кремниевых зондов с требуемой конфигурацией острия для сканирующих зондовых микроскопов. Зонды создавали на пластинах монокристаллического кремния с ориентацией (100) и (111). Установлено, что анизотропное селективное жидкостное травление (травитель для кремния с ориентацией (100) — 5% водный раствор КОН, для кремния с ориентацией (111) — раствор HF:HNO3:CH3COOH), как и плазмохимическое травление кремния в среде SF6, по отдельности не могут обеспечить формирование острия зондов с параметрами на уровне мировых аналогов. Только их комбинация в сочетании с использованием многослойной маски дает возможность получать зонды с заданными параметрами.
Alternative abstract: Formation of silicon probes with sharp tips for scanning probe microscopes has been developed and studied. The probes were fabricated on (100) and (111) silicon wafers. It was found that the anisotropic selective wet etching (the КОН water solution for (100) silicon and the HF:HNO3:CH3COOH solution for (111) silicon) and plasma etching in SF6 separately did not allow formation of sharp tip edges. Only combination of these two methods and the use of multilayer mask provide necessary tip parameters.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30939
Appears in Collections:№3 (11)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tsirkunova_Formation.pdf431.07 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.