Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30953
Title: Влияние наноструктурированности на диэлектрическую поляризацию кристаллов в сильных электромагнитных полях
Other Titles: Relativistic polarization in cell potential approximation and scattering of elecrons on nuclei in crystals
Authors: Грушевская, Г. В.
Гурский, Л. И.
Keywords: доклады БГУИР;поляризация;кристалл;квантовая теория возмущений;рассеяние
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Грушевская, Г. В. Влияние наноструктурированности на диэлектрическую поляризацию кристаллов в сильных электромагнитных полях = Relativistic polarization in cell potential approximation and scattering of elecrons on nuclei in crystals / Г. В. Грушевская, Л. И. Гурский // Доклады БГУИР. – 2005. – № 4 (12). – С. 11–18.
Abstract: Исходя из первых принципов, предложен метод расчета электрофизических свойств кристаллов в рамках квантовой теории возмущений с использованием температурных функций Грина. Для описания наноструктурированных кристаллов развит метод вычисления диэлектрической поляризации кристаллов в сильных электромагнитных полях с учетом релятивистских поправок, описывающих магнитооптические эффекты.
Alternative abstract: Based on 'ab initio' calculation, a method to calculate electrophysical properties of crystals was offered within the framework of a quantum theory of perturbations with use of temperature Green functions. To describe nanostructured crystals a method of an estimation of dielectric polarization of crystals in strong electromagnetic fields was developed by taking into account of relativistic corrections corresponding to magnetooptical effects.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30953
Appears in Collections:№4 (12)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Grushevskaya_Relativistic.pdf217.7 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.