https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30953| Title: | Влияние наноструктурированности на диэлектрическую поляризацию кристаллов в сильных электромагнитных полях |
| Other Titles: | Relativistic polarization in cell potential approximation and scattering of elecrons on nuclei in crystals |
| Authors: | Грушевская, Г. В. Гурский, Л. И. |
| Keywords: | доклады БГУИР;поляризация;кристалл;квантовая теория возмущений;рассеяние |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Грушевская, Г. В. Влияние наноструктурированности на диэлектрическую поляризацию кристаллов в сильных электромагнитных полях / Г. В. Грушевская, Л. И. Гурский // Доклады БГУИР. - 2005. - № 4 (12). - С. 11 - 18. |
| Abstract: | Исходя из первых принципов, предложен метод расчета электрофизических свойств кристаллов в рамках квантовой теории возмущений с использованием температурных функций Грина. Для описания наноструктурированных кристаллов развит метод вычисления диэлектрической поляризации кристаллов в сильных электромагнитных полях с учетом релятивистских поправок, описывающих магнитооптические эффекты. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30953 |
| Appears in Collections: | №4 (12) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Grushevskaya_Relativistic.pdf | 217.7 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.