https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31041| Title: | Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора |
| Other Titles: | Formation of secondary damage in silicon implanted with carbon and boron ions |
| Authors: | Плебанович, В. И. Белоус, А. И. Челядинский, А. Р. Оджаев, В. Б. |
| Keywords: | доклады БГУИР;кремний;имплантация;углерод;бор;остаточные протяженные нарушения |
| Issue Date: | 2006 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора = Formation of secondary damage in silicon implanted with carbon and boron ions / В. И. Плебанович [и др.] // Доклады БГУИР. – 2006. – № 2 (14). – С. 42–48. |
| Abstract: | Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование остаточных протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами С+ и методом двойной имплантации С+ и В+. Установлено, что формирование остаточных нарушений может быть подавлено благодаря аннигиляции точечных дефектов на атомах С (эффект Воткинса). Положительный эффект достигается при локализации внедряемого углерода по узлам решетки, что обеспечивается его имплантацией с эффективной плотностью тока сканирующего пучка ионов не ниже 1,0 мкА⋅см–2. |
| Alternative abstract: | The effect of C atoms on the formation of secondary extended damage in silicon implanted with C+ and co-implanted with C+ and B+ ions has been investigated. It is shown that formation of secondary damage is suppressed by carbon implantation at high densities of ion current when the implanted C is incorporated substitutionally into silicon lattice. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31041 |
| Appears in Collections: | №2 (14) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Plebanovich_Formation.pdf | 966.15 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.