Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31055
Title: Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий
Other Titles: Authenticity of semiconductor devices’ functional parameters forecast by imitation effect method
Authors: Боровиков, С. М.
Бересневич, А. И.
Шалак, А. В.
Keywords: доклады БГУИР;изделия электронной техники;полупроводниковые приборы;биполярные транзисторы;метод имитационных воздействий;прогнозирование функциональных параметров;ошибка прогнозирования
Issue Date: 2006
Publisher: БГУИР
Citation: Боровиков, С. М. Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий / С. М. Боровиков, А. И. Бересневич, А. В. Шалак // Доклады БГУИР. - 2006. - № 3 (15). - С. 12 - 17.
Abstract: Прогнозирование функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий выполняется с использованием имитационной модели в виде функции пересчета. Для приборов рассматриваемого вида эту функцию получают один раз на этапе их предварительных исследований (по результатам обучающего эксперимента). С ее помощью определяют уровень имитационного фактора, соответствующий заданной будущей наработке. Решение о пригодности функции пересчета принимают по достоверности прогноза функциональных параметров. Предлагается оценивать достоверность по значению средней ошибки прогнозирования, используя изделия контрольной выборки. Разработан метод определения этой ошибки. Применение метода иллюстрируется примером.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31055
Appears in Collections:№3 (15)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Baravikou_Authenticity.pdf693.47 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.