Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31055
Название: Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий
Другие названия: Authenticity of semiconductor devices’ functional parameters forecast by imitation effect method
Авторы: Боровиков, С. М.
Бересневич, А. И.
Шалак, А. В.
Ключевые слова: доклады БГУИР;изделия электронной техники;полупроводниковые приборы;биполярные транзисторы;метод имитационных воздействий;прогнозирование функциональных параметров;ошибка прогнозирования
Дата публикации: 2006
Издательство: БГУИР
Описание: Боровиков, С. М. Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий / С. М. Боровиков, А. И. Бересневич, А. В. Шалак // Доклады БГУИР. - 2006. - № 3 (15). - С. 12 - 17.
Аннотация: Прогнозирование функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий выполняется с использованием имитационной модели в виде функции пересчета. Для приборов рассматриваемого вида эту функцию получают один раз на этапе их предварительных исследований (по результатам обучающего эксперимента). С ее помощью определяют уровень имитационного фактора, соответствующий заданной будущей наработке. Решение о пригодности функции пересчета принимают по достоверности прогноза функциональных параметров. Предлагается оценивать достоверность по значению средней ошибки прогнозирования, используя изделия контрольной выборки. Разработан метод определения этой ошибки. Применение метода иллюстрируется примером.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31055
Располагается в коллекциях:№3 (15)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Baravikou_Authenticity.pdf693.47 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.