Влияние гамма-излучения на параметры различных транзисторных МОП-структур — элементов интегральных микросхем

Abstract

Рассмотрено влияние гамма-излучения на параметры тестовых n-канальных транзисторных МОП-структур — элементов логических комплементарных МОП интегральных микросхем, а также МОП микросхем памяти — электрически стираемых программируемых постоянных запоминающих устройств. Получены сходные экспериментальные результаты по деградации параметров запоминающих элементов как при воздействии гамма-излучения, так и при воздействии циклов перезаписи информации, что позволяет использовать данные радиационных исследований запоминающих элементов для моделирования результатов их испытаний на надежность.