Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31111
Title: Влияние гамма-излучения на параметры различных транзисторных МОП-структур — элементов интегральных микросхем
Other Titles: Influence of gamma-radiation on parameters of various transistor MOS structures — elements of integrated microcircuits
Authors: Коршунов, Ф. П.
Богатырев, Ю. В.
Белоус, А. И.
Шведов, С. В.
Ластовский, С. Б.
Кульгачев, В. И.
Korshunov, F. P.
Bogatyrev, Y. V.
Belous, A. I.
Shvedov, S. V.
Lastovsky, S. B.
Kulgachev, V. I.
Keywords: доклады БГУИР
транзисторные МОП-структуры
элементы интегральных микросхем
электрически стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства
гамма- излучение
Issue Date: 2007
Publisher: БГУИР
Citation: Влияние гамма-излучения на параметры различных транзисторных МОП-структур — элементов интегральных микросхем / Ф. П. Коршунов и др. // Доклады БГУИР. - 2007. - № 1 (17). - С. 67 - 72.
Abstract: Рассмотрено влияние гамма-излучения на параметры тестовых n-канальных транзисторных МОП-структур — элементов логических комплементарных МОП интегральных микросхем, а также МОП микросхем памяти — электрически стираемых программируемых постоянных запоминающих устройств. Получены сходные экспериментальные результаты по деградации параметров запоминающих элементов как при воздействии гамма-излучения, так и при воздействии циклов перезаписи информации, что позволяет использовать данные радиационных исследований запоминающих элементов для моделирования результатов их испытаний на надежность.Influence of gamma-radiation on parameters of test n-channel transistor MOS structures (elements of logic complementary МОS integrated microcircuits, and also MOS memory microcircuits — Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) is considered. Similar experimental results on degradation of parameters of memory elements are received both at influence of gamma- radiation, and at influence of cycles of rewriting of the information that allows to use the data of radiation researches of memory elements for modeling results of their reliability tests.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31111
Appears in Collections:№1 (17)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Korshunov_Influence .pdf523,92 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.