Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Микроструктура соединений кремния с переходными металлами
Other Titles: Microstructure of silicon compounds with transition metals
Authors: Коробко, А. О.
Keywords: доклады БГУИР;кремний;ионная имплантация;переходные металлы;ЭПР;РОР
Issue Date: 2007
Publisher: БГУИР
Citation: Коробко, А. О. Микроструктура соединений кремния с переходными металлами / А. О. Коробко // Доклады БГУИР. - 2007. - № 2 (18). - С. 69 - 74.
Abstract: Методами электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и резерфордовского обратного рассеяния (РОР) исследована микроструктура твердотельных слоев "аморфный кремний — атомы переходного металла — кристаллический кремний". Установлена кинетика образования аморфной фазы, определена ее толщина и глубина залегания ионов атомов переходного металла. Теоретически рассчитан порог аморфизации кремния и проведено его сравнение с экспериментальными результатами.
Alternative abstract: The microstructure of solid state layers "amorphous silicon—transition metal atoms— crystalline silicon" have been investigated by means of electron paramagnetic resonance and Rutherford backscattering spectroscopy. The kinetics of amorphous phase formation, the thickness of amorphous layer and the depth profile of implanted transition metal atoms have been stated. The amorphisation threshold has been calculated theoretically and compared to experimental results.
Appears in Collections:№2 (18)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Korobko_Microstructure.pdf537.79 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.