Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31760
Title: Исследование структуры мезопористого кремния
Other Titles: Investigation of structure of mesoporous silicon
Authors: Холостов, К. И.
Филатова, О. С.
Бондаренко, В. П.
Keywords: доклады БГУИР;электрохимическое анодирование;пористый кремний;сканирующая электронная микроскопия
Issue Date: 2008
Publisher: БГУИР
Citation: Холостов, К. И. Исследование структуры мезопористого кремния / К. И. Холостов, О. С. Филатова, В. П. Бондаренко // Доклады БГУИР. - 2008. - № 4 (34). - С. 72 - 76.
Abstract: Методом электрохимического анодирования сильнолегированных кремниевых подложек электронного типа проводимости в растворе фтористоводородной кислоты получены пленки мезопористого кремния. Методом сканирующей электронной микроскопии исследованы такие структурные параметры пористого материала, как средний диаметр пор, среднее расстояние между порами, концентрация пор на поверхности. Полученные данные можно использовать для построения компьютерной модели структуры мезопористого кремния для теоретической разработки процессов осаждения металлов, а также полупроводниковых соединений на поверхность пористого материала и вглубь каналов пор для формирования различных сенсорных, оптических и оптоэлектронных приборов.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31760
Appears in Collections:№4 (34)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kholostov_Investigation.PDF440.21 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.