Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769
Title: Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС
Other Titles: Circuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistance
Authors: Шведов, С. В.
Shvedov, S. V.
Keywords: доклады БГУИР
надежность БИС
радиационная стойкость
КМОП-инвертор
защитный транзистор
логические схемы
Issue Date: 2009
Publisher: БГУИР
Citation: Шведов, С. В. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС / С. В. Шведов // Доклады БГУИР. - 2009. - № 7 (45). - С. 26 - 32.
Abstract: Приводятся результаты анализа особенностей применения известных методов повышения надежности радиационной стойкости больших интегральных микросхем (БИС) – системо- технических, схемотехнических, конструктивных и технологических. Эффективность применения схемотехнического метода показана на конкретных примерах логического КМОП-инвертора.The methods of LSIC radiation resistance enhancement are analyzed. There are investigated four groups of methods: circuit, circuit engineering, design and technological methods as well as their various combinations. Application of various methods of radiation resistance enhancement is shown on the examples of CMOS inverter.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769
Appears in Collections:№7 (45)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shvedov_Circuit.PDF343,5 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.