| Title: | Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС |
| Other Titles: | Circuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistance |
| Authors: | Шведов, С. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;надежность БИС;радиационная стойкость;КМОП-инвертор;защитный транзистор;логические схемы |
| Issue Date: | 2009 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Шведов, С. В. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС = Circuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistance / С. В. Шведов // Доклады БГУИР. – 2009. – № 7 (45). – С. 26–32. |
| Abstract: | Приводятся результаты анализа особенностей применения известных методов повышения надежности радиационной стойкости больших интегральных микросхем (БИС) – системно-технических, схемотехнических, конструктивных и технологических. Эффективность применения схемотехнического метода показана на конкретных примерах логического КМОП-инвертора. |
| Alternative abstract: | The methods of LSIC radiation resistance enhancement are analyzed. There are investigated
four groups of methods: circuit, circuit engineering, design and technological methods as well as their
various combinations. Application of various methods of radiation resistance enhancement is shown
on the examples of CMOS inverter. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769 |
| Appears in Collections: | №7 (45)
|
