Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС
Other Titles: Circuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistance
Authors: Шведов, С. В.
Keywords: доклады БГУИР;надежность БИС;радиационная стойкость;КМОП-инвертор;защитный транзистор;логические схемы
Issue Date: 2009
Publisher: БГУИР
Citation: Шведов, С. В. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС / С. В. Шведов // Доклады БГУИР. - 2009. - № 7 (45). - С. 26 - 32.
Abstract: Приводятся результаты анализа особенностей применения известных методов повышения надежности радиационной стойкости больших интегральных микросхем (БИС) – системо- технических, схемотехнических, конструктивных и технологических. Эффективность применения схемотехнического метода показана на конкретных примерах логического КМОП-инвертора.
Alternative abstract: The methods of LSIC radiation resistance enhancement are analyzed. There are investigated four groups of methods: circuit, circuit engineering, design and technological methods as well as their various combinations. Application of various methods of radiation resistance enhancement is shown on the examples of CMOS inverter.
Appears in Collections:№7 (45)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shvedov_Circuit.PDF343.5 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.