Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769
Название: Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС
Другие названия: Circuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistance
Авторы: Шведов, С. В.
Ключевые слова: доклады БГУИР;надежность БИС;радиационная стойкость;КМОП-инвертор;защитный транзистор;логические схемы
Дата публикации: 2009
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Шведов, С. В. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС / С. В. Шведов // Доклады БГУИР. - 2009. - № 7 (45). - С. 26 - 32.
Аннотация: Приводятся результаты анализа особенностей применения известных методов повышения надежности радиационной стойкости больших интегральных микросхем (БИС) – системо- технических, схемотехнических, конструктивных и технологических. Эффективность применения схемотехнического метода показана на конкретных примерах логического КМОП-инвертора.The methods of LSIC radiation resistance enhancement are analyzed. There are investigated four groups of methods: circuit, circuit engineering, design and technological methods as well as their various combinations. Application of various methods of radiation resistance enhancement is shown on the examples of CMOS inverter.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769
Располагается в коллекциях:№7 (45)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Shvedov_Circuit.PDF343.5 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.