Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769
Название: Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС
Другие названия: Circuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistance
Авторы: Шведов, С. В.
Ключевые слова: доклады БГУИР;надежность БИС;радиационная стойкость;КМОП-инвертор;защитный транзистор;логические схемы
Дата публикации: 2009
Издательство: БГУИР
Описание: Шведов, С. В. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС / С. В. Шведов // Доклады БГУИР. - 2009. - № 7 (45). - С. 26 - 32.
Аннотация: Приводятся результаты анализа особенностей применения известных методов повышения надежности радиационной стойкости больших интегральных микросхем (БИС) – системо- технических, схемотехнических, конструктивных и технологических. Эффективность применения схемотехнического метода показана на конкретных примерах логического КМОП-инвертора.
Аннотация на другом языке: The methods of LSIC radiation resistance enhancement are analyzed. There are investigated four groups of methods: circuit, circuit engineering, design and technological methods as well as their various combinations. Application of various methods of radiation resistance enhancement is shown on the examples of CMOS inverter.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769
Располагается в коллекциях:№7 (45)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Shvedov_Circuit.PDF343.5 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.