Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31774
Title: Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхем
Other Titles: Influence of laser gettering on bipolar IC parameters
Authors: Пилипенко, В. А.
Вечер, Д. В.
Горушко, В. А.
Понарядов, В. В.
Сякерский, В. С.
Петлицкая, Т. В.
Keywords: доклады БГУИР
геттерирование
контроль
параметры
элементы
Issue Date: 2009
Publisher: БГУИР
Citation: Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхем / В. А. Пилипенко и др. // Доклады БГУИР. - 2009. - № 8 (46). - С. 63 - 67.
Abstract: Представлены результаты влияния лазерного геттерирования на электрические параметры биполярных микросхем. Показано, что за счет уменьшения распространения линий скольжения, снижения плотности дислокаций в эпитаксиальной пленке и исключения возникновения проводящих шунтов в области активных и пассивных элементов, удается устранить деградацию электрических параметров интегральных микросхем, обеспечивая тем самым увеличение в два раза выход годных изделий. The results of the laser gettering on the electric parameters of the Bipolar microcircuits are presented. It is shown, that due to reduction of the of the slide lines spread, lowering down density of dislocations in the epitaxial film and exclusion of emergence of the conductive bypasses in the area of the active and passive elements, it is attainable to eliminate degradation of the IC electric parameters, thus ensuring the good percentage two times higher.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31774
Appears in Collections:№8 (46)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Han_Influence.PDF305.99 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.