https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31786| Title: | Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования |
| Other Titles: | The Monte Carlo semiconductor device structures simulation approach using the object-oriented programming technology |
| Authors: | Сперанский, Д. С. Борздов, В. М. |
| Keywords: | доклады БГУИР;метод Монте-Карло;объектно-ориентированное программирование;МОП-транзистор;ВАХ |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Сперанский, Д. С. Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования = The Monte Carlo semiconductor device structures simulation approach using the object-oriented programming technology / Д. С. Сперанский, В. М. Борздов // Доклады БГУИР. – 2008. – № 4 (34). – С. 66–71. |
| Abstract: | Рассмотрены некоторые аспекты разработки программного комплекса моделирования процессов переноса носителей заряда в интегральных полупроводниковых структурах методом Монте-Карло. Основное внимание уделено построению эффективной объектной иерархии, которая дает возможность повторного использования написанного ранее кода, а также минимизирует проблемы, возникающие при разработке программного комплекса несколькими программистами. В качестве иллюстрации работоспособности описанного комплекса приведены результаты расчета вольт-амперной характеристики (ВАХ) интегрального n-канального МОП-транзистора и проведено их сравнение с известными экспериментальными данными. |
| Alternative abstract: | This work is devoted to some aspects of the development of charge carrier transport simulation software in semiconductor device structures using Monte Carlo method. The main attention is paid to the creation of the efficient object hierarchy, which allows to increase the program code reusability and to make the programmer’s team-working more convenient. As an example the results of integral submicron n-channel MOS-transistor’s current-voltage characteristics calculation is shown compared with experimental data. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31786 |
| Appears in Collections: | №4 (34) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Speransky_The.PDF | 356.53 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.