Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32340
Title: Подвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлия
Authors: Волчёк, В. С.
Keywords: материалы конференций;модуляционно-легированная структура;подвижность электронов
Issue Date: 2018
Publisher: БГУИР
Citation: Волчёк, В. С. Подвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлия / В. С. Волчёк // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 26.
Abstract: Полевые транзисторы с модуляционно-легированной структурой (транзисторы с высокой подвижностью электронов, ТВПЭ) на основе нитрида галлия являются перспективными элементами сенсорных устройств, используемых в системах инженерно- технической защиты объектов. Высокочастотные полупроводниковые приборы требуют больших концентраций носителей заряда с максимально возможной подвижностью.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32340
Appears in Collections:ТСЗИ 2018

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Volchek_Podvizhnost.pdf193.66 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.