Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32574
Title: Особенности нанесения тонких пленок сегнетоэлектриков при высокочастотном магнетроном распылении
Other Titles: Deposition features of ferroelectric thin films at high-frequency magnetron sputtering
Authors: Окоджи, Д. Э.
Голосов, Д. А.
Keywords: доклады БГУИР;высокочастное магнетронное распыление;сегнетоэлектрики;скорость нанесения;коэффициент распыления;high-frequency magnetron sputtering;ferroelectric;deposition rate;sputtering yield
Issue Date: 2018
Publisher: БГУИР
Citation: Окоджи, Д. Э. Особенности нанесения тонких пленок сегнетоэлектриков при высокочастотном магнетроном распылении / Д. Э. Окоджи, Д. А. Голосов // Доклады БГУИР. - 2018. - № 4 (114). - С. 87 - 93.
Abstract: Получены профили распределения скорости нанесения при высокочастотном (ВЧ) магнетронном распылении сегнетоэлектрических мишеней танталата стронция-висмута (SBT) и ниобата-танталата стронция висмута (SBTN) в Ar/O2 смеси газов. Установлено, что при распылении SBT и SBTN мишеней в центре зоны распыления скорость нанесения значительно превышает скорость нанесения, характерную для распыления на постоянном токе, что является следствием генерации в разрядной зоне магнетрона отрицательно заряженных ионов. Предложена модель расчета распределения толщины наносимых пленок при ВЧ магнетронном распылении, которая учитывает поток формирующихся отрицательно заряженных ионов.
Alternative abstract: The distribution profiles of the deposition rate for high-frequency (HF) magnetron sputtering of the ferroelectric targets of strontium-bismuth tantalate (SBT) and strontium-bismuth niobate-tantalate (SBTN) in the Ar/O2 gas mixture were investigated. It was found that at sputtering SBT and SBTN targets the deposition rate in the center of the sputtering zone is much higher than the deposition rate specific for DC sputtering, which is a consequence of the generation of negative ions in the magnetron discharge region. A model for calculating the distribution of the deposited films thickness at HF magnetron sputtering, which takes into account the negative ions flow was proposed.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32574
Appears in Collections:№4 (114)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Okodzhi_Osobennosti.pdf2.72 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.