Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32733
Title: Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных полевых МОSFЕТ транзисторов
Other Titles: Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors
Authors: Солодуха, В. А.
Пилипенко, В. А.
Горушко, В. А.
Keywords: доклады БГУИР;быстрая термообработка;подзатворный диэлектрик;р- и n-канальные транзисторы;rapid thermal treatment;gate dielectric;р- and n-channel transistors
Issue Date: 2018
Publisher: БГУИР
Citation: Солодуха, В. А. Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных полевых МОSFЕТ транзисторов / В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 5 (115). - С. 99 - 103.
Abstract: Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p- и n-канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов. The results of investigations of influence of the rapid thermal threatment of the gate dielectric on the parameters of the power p- and n-channel MOSFET transistors are listed. It was established, that the given treatment makes it possible owing to enhancing the charge and structural properties of dielectric to reduce the gate leakage currents and enhance reliability of devices.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32733
Appears in Collections:№5 (115)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Solodukha_Influence.pdf483.11 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.