Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33047
Title: Технология формирования нанопроводов антимонида индия в пористых матрицах анодного оксида алюминия
Other Titles: Technology of formation of InSb nanowires in porous matrices of anodic aluminum oxide
Authors: Божьев, И. В.
Горох, Г. Г.
Лозовенко, А. А.
Напольский, К. С.
Обухов, И. А.
Позняк, А. А.
Смирнова, Е. А.
Keywords: публикации ученых;антимонид индия;нанопровод;золотая подложка;контакты;матрицы;технология осаждения;indium antimonide;nanowire;gold substrate;contacts;matrix;deposition technology
Issue Date: 2018
Publisher: Севастополь
Citation: Технология формирования нанопроводов антимонида индия в пористых матрицах анодного оксида алюминия / И. В. Божьев и др. // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: материалы 28-й Международной Крымской конференции. - Севастополь, 2018. - С. 996 - 1002.
Abstract: Представлены несколько способов формирования матриц нанопроводов из антимонида индия в порах анодного оксида алюминия на золотой подложке. Описаны преимущества и недостатки нанесения контактных групп для создания устройств, использующих коллективные эффекты в матрицах.
Alternative abstract: Several methods for the formation of matrices of indium antimonide nanowires in the pores of anodic aluminum oxide on a gold substrate are presented. Advantages and disadvantages of applying contact groups for creating devices using collective effects in matrices are described.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33047
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bozhev_Technology.pdf1.59 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.