Стехиометрия пленок диоксида кремния, полученных ионно-лучевым распылением

Abstract

С применением инфракрасной спектрометрии исследован состав SiOх–пленок, полученных ионно–лучевым распылением (ИЛР) кремниевой и кварцевой мишеней. Пленки толщиной 150–390 нм формировали на подложках из кремния. Установлено, что увеличение парциального давления кислорода в рабочем газе, повышение температуры подложки и наличие положительного потенциала на мишени при реактивном ИЛР кремния привело к смещению основной полосы поглощения νas в высокочастотную область и росту композиционного индекса с 1,41 до 1,85. При ИЛР кварцевой мишени стехиометрия пленок ухудшается с увеличением энергии распыляющих ионов аргона, что может быть связано с ростом скорости нанесения. Увеличение тока термоэлектронного компенсатора, повышение температуры подложки и добавка кислорода способствовали формированию SiOх–пленок с улучшенной стехиометрией.