Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34356
Title: Анализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного тока
Authors: Солодуха ., В. А.
Шведов, С. В.
Петлицкий, А. Н.
Петлицкая, Т. В.
Чигирь, Г. Г.
Пилипенко, В. А.
Филипеня, В. А.
Жигулин, Д. В.
Уситименко, Д. С.
Keywords: публикации ученых
дефект микросхемы
растровый электронный микроскоп
режим наведенного тока
Issue Date: 2018
Publisher: Издательский центр «Политехпериодика» г. Одесса, Украина
Citation: Анализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного тока / В. А. Солодуха [и др.] // Современные информационные и электронные технологии (СИ-ЭТ-2018): сборник трудов 19-ой Международной научно-практической конференции, Одесса, 28 мая – 01 июня 2018 г. - Одесса, 2018. - С. 48 - 49.
Abstract: В работе представлены результаты анализа скрытых дефектов интегральной микросхемы с использованием растрового электронного микроскопа в режиме наведенного тока. Не осуществляя послойного стравливания топологических слоев, удалось зафиксировать точное месторас-положения пробоя конденсаторного диэлектрика.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34356
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Solodukha_Analiz.pdf815,36 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.