Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36656
Title: Формирование слоев пористого кремния на сильнолегированных монокристаллах кремния дырочного типа проводимости
Other Titles: Formation of porous silicon on a highly doped p-type monocrystalline silicon
Authors: Гурбо, А. Д.
Клименко, А. В.
Бондаренко, В. П.
Keywords: доклады БГУИР;пористый кремний;электрохимическое анодирование;кремниевые структуры;porous silicon;electrochemical anodisation;silicon structures
Issue Date: 2019
Publisher: БГУИР
Citation: Гурбо, А. Д. Формирование слоев пористого кремния на сильнолегированных монокристаллах кремния дырочного типа проводимости / Гурбо А. Д., Клименко А. В., Бондаренко В. П. // Доклады БГУИР. – 2019. – № 6 (124). – С. 31 – 37. – DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-124-6-31-37.
Abstract: Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках дырочного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучены закономерности роста слоев и зависимость их пористости от длительности анодирования и плотности анодного тока. Получена математическая модель роста слоев пористого кремния.
metadata.local.description.annotation: Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation. Dependencies of thickness and porosity of porous silicon layers as well as effective valence of silicon dissolution versus anodizing time and current density were obtained and analysed. A mathematical model for growth of layers of porous silicon was developed.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36656
Appears in Collections:№6 (124)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Gurbo_Formirovaniye.pdf1.67 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.