Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36698
Title: Тонкопленочный полевой транзистор на основе InGaZnO – функциональный элемент оптоэлектроники
Authors: Молахов, В. С.
Keywords: авторефераты диссертаций;тонкопленочные полевые транзисторы;InGaZnO
Issue Date: 2019
Publisher: БГУИР
Citation: Молахов, В. С. Тонкопленочный полевой транзистор на основе InGaZnO – функциональный элемент оптоэлектроники : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1- 41 80 01 / В. С. Молахов; науч. рук. А. А. Степанов. - Минск : БГУИР, 2019. – 7 с.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36698
Appears in Collections:1-41 80 01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Molahov_Tonkoplenochnii.pdf469.18 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.